来源:X-MOL镧系（Ln）元素具有独特的电子结构和化学行为，当它们作为孤立的原子修饰剂引入时，可以用来调节电催化性能。然而，由于其高反应性和超低还原电位，其广泛应用仍有限，难以开发能够原子分散于不同底物上的通用合成策略。我们开发了一种熔融亚硝酸盐方法，能够得到单原子催化剂，从而实现多种镧系元素在多种基体（包括金属、金属氧化物和碳材料）上的原子分离。系统对照实验获得的机制性见解表明，熔融亚硝酸盐中Ln单原子催化剂的形成受三个因素决定：Lux–Flood碱性效应、质量扩散抗性和熔盐屏蔽。作为示范，Dy1/Pt 显示在电流密度为−10 mA cm时，过势为20 mV。−20.5 M H2所以4用于酸性氢的演化，优于商业的Pt/C催化剂。本研究建立了合成Ln单原子催化剂的框架，并将熔融亚硝酸盐系统定位为电催化剂合成的多功能平台。
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来源：X-MOL半导体制造中的干蚀刻工艺使陶瓷腔体组件暴露于强效氟等离子体，因此需要开发耐用的保护涂层。尽管氧化钔（Y2O3）在半导体行业被广泛用作保护涂层，但它仍易受到表面氟化和溅射引起的侵蚀。本研究通过电子束物理气相沉积（EB-PVD）制备掺杂了 CeO2 的 Y2O3 薄膜。结构分析显示，Y2O3 晶格从 bixbyite 型转变为氟化石型结构，CeO2 含量增加，由于 EB-PVD 的非平衡性质，固体溶解度超出了整体相图的极限。对于基于 CF4 的等离子体刻蚀，0.2Ce 样品的最小蚀刻速率约比未掺杂 Y2O3 低 45%。X 射线光电子光谱和电子能量损失光谱（EELS）分析表明，在该组分下，Ce 主要掺入为 Ce4+，从而降低与氧空位相关的缺陷浓度，从而抑制氟的掺入。蚀刻后 EELS 进一步揭示了近表面氧化还原转变（Ce4+→Ce3+），与氟等离子体暴露下的电荷补偿相符。这些发现表明，氧空位工程结合谨慎选择掺杂剂形成低溅射率氟化物，是提升半导体工艺环境中氧化层等离子体耐久性的有效材料设计策略。
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来源：X-MOL尽管基于金属离子的移动丝状忆阻被研究为神经形态计算的人工突触，但它们存在突发和随机切换的问题。因此，本研究报告了一种使用移动掺杂银钒-铈氧化物（VCeOx：Ag）的非丝状突触忆阻器，通过结合 Ag 纳米簇和重新分布的移动 Ag 离子，实现线性和对称的电导调制，并在 10 个 4 次增强/降低周期内保持稳定耐久性。这种共轭贡献使得极性依赖、稳健且可重复的模拟开关成为可能。透射电子显微镜（TEM）分析确认了 Ag 纳米簇的存在，开尔文探针力显微镜（KPFM）验证了残余 Ag 离子的场驱动迁移和重新分布。利用时间依赖的突触可塑性特性，包括配对脉冲促进（PPF）、硬伤直气后增强（PTP）、尖峰依赖可塑性（SRDP）以及短期到长期记忆（STM 到 LTM）的转变，实现了储量计算（RC），该技术在手写数字 MNIST 和 Fashion-MNIST 数据集中分别实现了 90.6%和 76.7%的分类准确率。这些发现凸显了 VCeOx：Ag 的互补机制，实现了前所未有的模拟电导控制，并为开发可扩展、节能的边缘人工智能（AI）和设备内学习神经形态硬件铺平了道路。
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来源：X-MOL全球数百万农村家庭仍暴露于与砷污染地下水相关的健康风险之下。特别令人担忧的是去除常见的 As（III）的困难。本研究通过简单水化反应和胶化制备了羟基富集的氧化铈-几分聚三杂交大孔珠（CeO2-OH/CSMB），便于深度去除 As（III）。这种方法有效减少了制备过程中的铈流失。嵌入大孔壳哊聚珠内的富含羟基的氧化铈纳米颗粒暴露良好，表现出对 As（III）强烈的亲和力。在 pH 7 下，CeO2-OH/CSMB 的 As（III）吸附能力达到 74.25 mg/g，超过大多数已开发的珠状吸附剂。在广泛的水化学条件下，它能将 1 mg/L 的 As（III）降低到远低于最大污染物水平（MCL）10 μg/L。即使 10 mg/L As（III），去除效率也超过 99.8%。CeO2-OH/CSMB 在自然地下水和河流水中，将 100 微克/升的砷 III 含量降至 2 分钟内远低于 MCL。CeO2-OH/CSMB 可轻松应用于流通系统。一根填充 2.4 克 CeO2-OH/CSMB 的柱可净化约 18,000 床（113 升）砷含量高峰地下水（100 微克/升），以满足 MCL。表面羟基在 CeO2 上通过配体交换结合 As（III），形成内球层氧桥复合物。因此，羟基富集确保了 As（III）的有效吸附。这种可持续的 CeO2-OH/CSMB 为家庭 As（III）净...
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