附件：1、2025新材料展招展书（含参展申请表）2、新材料展展位图
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2025
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来源：中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家研究中心铁电畴壁随机存储器为解决硅基存储技术遇到的“存储墙”问题提供了切实可行的方案。相较于其他二维界面，例如晶界、相界等，铁电畴壁可以被特定的电场创建、移动以及擦除，意味着基于铁电畴壁的存储器件将更加灵活可控。然而，常规铁电畴壁作为高能界面，会出现非预期的漂移甚至湮灭，引发对数据存储可靠性的担忧；其次，现有的铁电畴壁存储器件传导电流和开关比仍处于较低水平，难以满足读写器件的性能要求；此外，在高密度铁电畴壁器件中，畴壁存在可观的体积占比，这限制了存储密度的进一步提升。中国科学院物理研究所/北京凝聚态物理国家研究中心禹日成研究员、沈希副研究员和北京科技大学苗君教授，在PbTiO3/LaAlO3体系中首次发现了常规180°铁电畴壁与反相畴界（antiphase boundary，APB）互耦的现象。通过透射电子显微学、第一性原理计算等多种手段，发现该互耦体系严格垂直于生长界面，横向厚度仅为常规畴壁的1/10。APB的钉扎属性赋予了互耦体系优异的抗干扰性能，且互耦体系可通过APB与180°常规铁电畴壁的互耦与解耦实现铁电畴极化的翻转，并可通过缺陷工程等手段调控互耦体系的物性。互耦体系的上述优点使其在打造高密度、低能耗、高耐久性及快速读写的非易失性铁电存储器件中具有优异的应用前景。
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来源：X-MOL镧系元素 （Ln） 基金属卤化物具有优异的发光特性、较大的斯托克斯位移和低毒性，作为 X 射线成像的闪烁体引起了广泛关注。然而，作为技术挑战之一，缺乏 Ln 基金属卤化物的快速和温和合成方法限制了它们的应用。在这里，得益于创新性地选择甲醇和乙醇分别作为溶剂和反溶剂，首次在室温下通过再结晶法制备了一系列 Cs3LnCl6 （Ln = Ce， Pr， Nd， Sm， Eu， Gd， Tb， Dy， Ho， Er， Tm， Yb， Lu） 微晶 （MCs）。这种再结晶方法还可以实现单元素MCs的一次大规模生产和可回收再结晶，制备高熵的五元素Cs3{TbDyHoErTm}1Cl6晶体。在这些 Cs3LnCl6 MCs 中，具有 4f → 5d 吸收转变的 Cs3TbCl6 MCs 具有最高的光致发光量子产率，为 90.8%。此外，在 X 射线照射下，Cs3TbCl6 MCs 显示出 ~51,800 个光子 MeV-1 的高产率，并且所制备的薄膜具有很好的 X 射线成像能力和出色的空间分辨率 （12 lp mm-1）。这项工作提供了一种在温和合成条件下超快制备 Ln 基金属卤化物的新方法，并突出了它们作为 X 射线成像闪烁体的优异潜力。
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来源：X-MOL近年来，稀土掺杂的光子雪崩荧光凭借其独特的高阶非线性发光特性，吸引了全球研究者的关注。光子雪崩现象源自镧系离子掺杂体系中激发态粒子之间的能量正反馈循环，使得系统在极微弱的激发或环境扰动下，展现出指数级的发光强度突变。这一特性使其在低成本超分辨率成像、超灵敏光学传感、以及多物理场耦合探测等领域展现出巨大潜力。光子雪崩的高阶非线性响应是多重物理过程协同作用的结果，涉及激发态和基态吸收、交叉弛豫、多声子弛豫等多种复杂机制。特别是交叉弛豫过程，它不仅在加速光子雪崩反馈循环的速度上起到了至关重要的作用，还可以有效维持激发态粒子的积累，强化正反馈循环，是光子雪崩效率和响应速度的关键因素。晶体场调控是调节稀土离子局域对称性与能级耦合强度的重要手段，在低对称性和强晶体场畸变的环境下，镧系离子4f-4f跃迁的宇称禁戒被打破，跃迁概率显著提升，为调控光子雪崩荧光开辟了全新的路径。首先，研究团队搭建了适用于光子雪崩效应研究的高性能测试平台，采用高度集成的自动化架构，涵盖基于伺服电机的精密激光功率控制、三维压电位移台定位、基于门控单光子探测的高时间精度荧光信号采集等多个模块，实现了对于光子雪崩荧光的智能采集与高效分析。进一步，通过精确调控纳米颗粒的内部晶格结构，该团队成功在雪崩离子网络中诱导了显著的晶体场畸变，这一畸变显著提升了离子间的交叉弛豫速率，进而加速了光子雪崩反馈循环的建立。这一策...
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