倪自丰教授：纳米氧化铈磨粒的制备及其在碳化硅衬底抛光中的应用（报告）
日期：
2024-08-23
浏览次数:
260
以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料相较前两代半导体材料，具有宽禁带、高导热率、高击穿电场、高电子饱和漂移速率等物理特性，并且化学性能稳定，有很强的耐腐蚀性，因而在核能、军工、航空航天等领域被广泛应用。但由于碳化硅材料具有硬度高、断裂韧性低的特点，在加工过程中极容易出现裂纹和损伤；同时，碳化硅表面加工的质量和精度的优劣会直接影响外延薄膜的质量及器件的性能，当前产业发展阶段，化学机械抛光技术（CMP）是业界公认实现碳化硅衬底材料全局平坦化最有效的方法，但关于它的材料去除机理、过程变量对碳化硅表面材料去除率和表面质量的影响等许多问题尚未完全研究清楚，使得碳化硅产业化进程受到一定的影响。氧化铈（CeO2）作为一种具有优异抛光性能的磨料，具有切削力强、抛光时间短、使用寿命长、抛光精度高的特点，常应用于光学玻璃器件、电视机显像管、半导体晶片等器件的抛光。氧化铈在抛光过程中化学稳定性较好，不易与抛光液中的其他成分发生不良反应，有利于维持抛光液的稳定性和使用寿命，相较于其他磨料，它对环境的影响较小，符合当下我国绿色化学和可持续发展的要求。并且有理论研究表明，氧化铈可以有效促进碳化硅的表面改性，用于化学机械抛光有极大潜力提升衬底材料的去除率和平坦化效率。但是目前国内外商业化的氧化铈磨料仍以亚微米等级为主，一方面囿于纳米级产品开发难度，另一方面也缺少基于氧化铈基抛光液用于碳化硅晶圆抛光的研究数据。8月25日-26日，于江苏无锡举办的“2024年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛”上，来自江南大学机械工程学院的倪自丰教授将在现场分享报告《纳米氧化铈磨粒的制备及其在碳化硅衬底抛光中的应用》，届时他将重点介绍不同形貌纳米氧化铈磨粒的制备技术，分析氧化铈磨粒对碳化硅衬底化学机械抛光性能的影响，并通过磨粒间隙能计算、分子动力学模拟和双电层DLVO理论解析碳化硅材料的去除机理。如您对相关内容感兴趣，欢迎了解会议详情并报名参会哦！
Hot News
/
相关推荐
2026
-
06
-
04
点击次数:
16
来源：X-MOL直接甲醇燃料电池（DMFC）技术的持续发展对高性能、高耐久性贵金属基电催化剂的研发提出了日益严苛的要求。本文通过溶剂热共组装策略，合理设计并合成了由二氧化铈纳米棒与石墨烯构成的三维（3D）交联纳米结构复合催化剂（CeO2 NRs-G）。超细铂纳米颗粒被均匀锚定于该分级多孔骨架上，形成Pt/CeO2 NRs-G催化剂。该3D纳米结构兼具石墨烯的高导电性与多孔网络结构，可有效促进物质与...
2026
-
06
-
03
点击次数:
38
来源：X-MOL相较于其他铜掺杂纳米氧化铈材料，于近室温条件下制备的8% Cu–纳米氧化铈在水煤气变换（WGS）反应中展现出优异的催化性能，但其原因十年来一直不甚明确［Si, R. 等，Catal. Today 2012, 180(1), 68–80.］。为探究该现象，我们对采用相同共沉淀法制备的、含铜量为0–16%的纳米氧化铈晶粒进行了电导率测试，并结合对分布函数（PDF）分析获得的结构信息开展...
2026
-
06
-
03
点击次数:
39
来源：X-MOL绿色光催化氧化材料作为环境和化学工程可持续发展的环保策略，吸引了广泛的研究关注。在这项工作中，在温和条件下，以溶温合成了一种新型二维铈基金属有机框架（Ce-MnTCPP）。该框架由锰卟啉配体 MnTCPP 构建，这是一种锰卟啉配体，由 Mn 2+ 离子与四氢喧啶卟啉（TCPP）及铀离子配位形成，已被证明是选择性氧化四氢喹啉的高效光催化剂。在 395 纳米 LED 照射下，其催化性能...
2026
-
06
-
02
点击次数:
60
来源：X-MOL为寻找高效的二氧化碳还原光催化剂，稀土元素掺杂因其独特的电子结构和能级而受到广泛关注，可显著增强光吸收能力和电荷转移效率。本研究采用表面活性剂辅助水热法合成了二维超薄铒（Er）掺杂BiOCl纳米片。Er掺杂不仅抑制了光生载流子的复合，还进一步增强了BiOCl纳米片的光催化记忆效应。Er掺杂与前期可见光辐照诱导的光催化记忆效应之间的协同作用，大幅调控了BiOCl纳米片内部的电子态。实...