自旋电子器件凭借低功耗、非易失性、超快读写等优势，已成为新一代信息技术的重要发展方向之一。单晶氧化物自旋霍尔材料因其突出的电荷-自旋转换能力，被认为是开发低功耗自旋器件的理想候选材料。然而，如何实现单晶氧化物自旋霍尔材料与硅基平台的异质集成，仍然面临着巨大挑战。
中国科学院宁波材料技术与工程研究所柔性磁电材料与器件团队针对上述问题开展研究，提出了“混合转移外延” 集成策略。研究实现了在硅衬底上单晶氧化物自旋电子器件的异质集成，为高性能硅基自旋电子器件及神经形态计算技术发展提供了重要技术路径。
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