来源：X-MOL
双钙钛矿结构卤化镧系元素 （DPLH） 材料具有卓越的光致发光和闪烁特性，已成为发光二极管和 X 射线成像应用的理想候选者。然而，制造高性能亚微米 DPLH 晶体仍然是一个重大挑战。在这里，我们提出了一种改进的过饱和再结晶（SR）方法，使用环保溶剂，首次在室温下合成亚微米 Cs2NaTbCl6 晶体。制备的 Cs2NaTbCl6 表现出 70.1 %的高光致发光量子产率（PLQY），可以通过 Ce3+ 掺杂进一步增强至接近统一。Cs2NaTbCl6：Ce 表现出 53,200 个光子 MeV−1 的高光产率，并表现出稳定的 X 射线激发光学发光 （XEOL）。作为一个例子，柔性 Cs2NaTbCl6：Ce 嵌入聚甲基丙烯酸甲酯 （PMMA） 薄膜作为 X 射线成像的闪烁体屏幕已被制造出来，显示出 28.8 nGy/s 的低检测限和 ~31.0 lp/mm 的高分辨率。这项工作代表了 DPLH 材料制造的重大进步，可实现高性能光致发光和高分辨率 X 射线成像。