来源：X-MOL
提出了一种基于硅的铒摻氧化镓装置，含有镈和铬的敏化剂，可用于增强铒离子的发射。研究发现，铬会引入正固定电荷，影响电子通过的势垒，同时产生载流子散射势，导致无受体氧化镓器件的导电性降低。铑、铬和铒离子之间存在复杂的能量转移通道，铒离子可以同时被铈和铬离子敏化，铈离子也会将能量转移给铬离子。在铬浓度~1.7%的优化下，该装置可在~8.5 伏启动，最大输出强度为~0.12mW/cm²，由镶和铬离子的协同敏化效应驱动，该强度是无铬离子的 40 倍。