来源：X-MOL
高 κ 单晶介质是下一代二维电子学的基本元件。然而，由于高 κ 介质缺乏足够宽的带隙，肖特基发射不可避免地导致高漏电流，限制了器件性能。本研究显示，通过化学气相沉积法合成的二维鑭系氧溴化物（LnOBr， Ln = La， Ce， Nd， Sm， Eu， Gd， Ho 和 Er）具有宽带隙（>5.7 eV）、可调节厚度及高品质单晶特性。与此同时，二维 LaOBr 单晶表现出高介电常数（14.8）、低漏电流密度（<10 −6 A cm −2 ）和高击穿电场强（14.2 MV cm −1 ），表明具有良好的绝缘性能。因此，LaOBr 顶栅 MoS 2 晶体管展现出具有竞争力的电气性能，包括可忽略不计的滞后（0.72 mV/（MV cm −1 ））、高的导通/关断比（10 7 ）、接近玻尔兹曼极限的亚阈值摆幅（63 mV dec −1 ）、卓越的电气可靠性和热稳定性（最高可达 450 K）。因此，性能良好的逆变器集成，具有陡峭的电压跃迁和高增益。这项工作开发了丰富的介电材料，具有宽带隙和高介电常数，用于创新的高性能二维电子学。