来源：电子工程专辑
在过去的十年中，大学和企业在集成光子学方面做出了重大的研究努力，并取得了切实的进展。目标是开发将系统和组件从“电子加光学”转变为两种技术的无缝融合更好的构建块，这两种技术有很多共同点，并表现出物理定律所定义的重大差异。
几个例子显示了进展的范围。在一个用例研究中，著名的瑞士洛桑理工学院(EPFL)的研究人员通过将稀土离子引入集成光子电路，构建了一个小型波导放大器。
自20世纪80年代以来，掺铒光纤放大器(EDFA)被用来为光纤中的光子提供功率增益(图1)，以提高光信号功率，这在长距离通信电缆和光纤激光器中至关重要；请记住，光功率是通过增加给定波长下的光子数量来提高的，而不是光子本身的“幅度”。幅度是一个固定量，为波长的函数。使用铒离子是因为它们可以放大1.55毫米波长范围内的光，而硅基光纤传输损耗在该范围内最低。
在简单的掺铒光纤放大器示意图中，两个激光二极管(LD)为掺铒光纤提供泵浦功率。泵浦光通过二色光纤耦合器注入，而光隔离器降低了器件对反射光的灵敏度。
有人尝试使用掺铒光波导代替独特的光纤，但功率输出太低，生产问题很难解决。现在，EPFL团队已经构建并测试了一个基于集成电路的铒放大器，该放大器提供145毫瓦的输出功率和超过30分贝的小信号增益，这与商用光纤放大器(基于光子集成电路的掺铒放大器)相当，如图2所示。
图2所示为EPFL研究人员开发的一种小型波导放大器。设计中，研究人员成功地将稀土离子注入到集成光子电路中。
该器件基于离子注入，采用超低损耗氮化硅(Si3N4)光子集成电路，波导结构尺寸为毫米级，长约50厘米。通过将电光元件集成到一个公共基板上，进一步减小了分立元件的尺寸和数量，这在某种程度上与将分立晶体管和无源元件集成到IC中的方式有些类似。
英特尔的激光阵列
多波长集成光学领域也取得了进展。英特尔实验室展示了一种完全集成在晶片上的八波长分布式反馈(DFB)激光器阵列，该阵列采用该公司的300毫米硅光子学制造工艺。其输出功率均匀性为±0.25dB，波长间隔均匀性为±6.5%，优于行业规范的要求。
这种使用密集波分复用(DWDM)技术的共封装光学器件，提供了大幅提高带宽的潜力，同时显著减小了光子芯片的物理尺寸。然而，迄今为止，生产具有均匀波长间隔和功率的DWDM光源一直非常困难(见图3)。
图3所示为八波长激光器阵列，包括八个微环调制器和一个光波导，各微环以均匀的间距调谐到不同的光波长上，且每个微环都可以单独调制。
英特尔的器件结构确保光源的波长相隔一致，同时保持均匀的输出功率，从而满足光计算互连和DWDM通信的要求。英特尔在III-V芯片邦定工艺之前，使用先进的光刻技术来实现硅波导光栅，这与在3英寸或4英寸III-V芯片制造厂中生产的传统半导体激光器相比，可以产生更好的波长均匀性。
此外，由于激光器的紧密集成，当环境温度变化时，阵列能保持其通道间距一致；这始终是光学器件中的一个主要指标，因为温度引起的漂移会破坏基本一致性。
光学芯片
与这些迈向商用的潜在重要节点在实验室取得进展的同时，市场上也出现了一些其他集成光子技术的进展。支持英特尔的Ayar实验室正在提供单片封装光学I/O(OIO)芯片。这些集成硅光子器件基于CMOS工艺制造，采用多芯片封装(MCP)技术。从而消除了电气I/O瓶颈，在对更多更快性能的不懈追求中，提高了功率效率、实现了低延迟和高带宽密度，如图4所示。
上述解决方案将TeraPHY(封装内光学I/O芯片)与SuperNova(多波长光源)相结合，将硅光子学与标准CMOS制造工艺相结合，与电子I/O相比，仅需1/10的功率即可将带宽密度提升高达1000倍(参见图5)。
图5所示的高级组件中，TeraPHY OIO小芯片(每个小芯片包含多达8个256Gbps光端口)采用倒装芯片连接，使多光端口的封装集成和自动化组装得到简化。
我想知道：在集成光子学的多个方面所获得的进步是否已经足以达到一个“拐点”，在其后的几年里，该技术将迅速过渡到基于这些器件的大面积设计？或者，这会是一个缓慢、稳定、渐进的过程，这些器件及其架构的采用也会以相对缓慢的步调逐步实施？或者，与大规模生产相关的挑战性障碍和问题会阻碍该技术的发展吗？
五到十年后，让我们再回头看看到底产生了什么结果。将今天的预测、推断和预期与届时的现实相比较，这将是一件非常有趣的事情。