来源：粉体圈
化学机械抛光（Chemical Mechanical Polishing，简称CMP）技术是目前最好的且唯一实现全局平坦化的工艺技术，是新一代超精密表面制造方法之一，在集成电路（IC）、半导体基片、硬磁盘、计算机磁头、光学玻璃等超精密表面加工领域有着极其广泛的应用。
为了获得超高精度表面，对抛光材料的调配与生产的要求也不断提高，二氧化铈(CeO2)作为高效的抛光材料，在高精度抛光中得到广泛应用。与二氧化硅和三氧化二铝不同，二氧化铈一般不溶于碱，在碱性抛光条件下呈两性性质，能同时吸附阴、阳离子，能够与碱很好配合抛光。此外纳米二氧化铈也能单独形成抛光粉，对光学玻璃进行良好的抛光。相比其他抛光液和抛光粉，二氧化铈抛光的速度比较快、抛光产品光洁度比较高高，平整度较高。
影响纳米氧化铈性质的关键性因素主要是其微观结构。目前，二氧化铈及其复合氧化物被制备成纳米级，如片状、纳米线、球形、方块形、花束状等规则形貌的纳米颗粒，其性质得到极大改善，作为磨料，其颗粒大小及形状影响着抛光过程中的材料去除的作用。目前，制备纳米二氧化铈的方法有固相烧结法、液相法、气相法、喷雾热分解法等。氧化铈抛光粉中的主要有效成分是CeO2，另外含有少量其他稀土氧化物（如La2O3、Pr6O11、Nd2O3等）及添加元素F、S等。
不过值得注意的是，当采用氧化铈抛光粉作为磨料制备抛光液，分散悬浮稳定性是重中之重，否则粒子较易团聚，容易导致工件划伤；同时由于悬浮清洗性能不好，抛光液磨料损耗快，容易粘附在工件及机台表面，使磨料沉底结块，研磨抛光效率降低；另外抛光后工件表面残留抛光粉多，难以清洗，为后段正常生产带来困难。
深入了解CMP抛光过程理解，从抛光粉到抛光液的制备及应用效果方面进行深入研究，才能进一步推进铈基抛光材料的性能提升和推广应用。在即将于2023年9月18-19日在东莞举办的“2023年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛”，将由来自北京工业大学的梅燕教授分享报告“稀土铈基CMP抛光材料的制备与应用”，报告将全面围绕铈基抛光材料的制备及应用深入讲解，涵盖以下报告内容：1）化学机械抛光技术（CMP）；2）铈基抛光粉的制备及CMP原理；3）铈基抛光液的制备及CMP原理；4）铈基抛光材料的CMP抛光效果及应用。