《Advanced Materials》：近红外发光的金属卤化物
日期：
2024-03-26
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近日，我院先进光电材料与器件物理课题组在《Advanced Materials》期刊上发表了题为“Near-Infrared Light Emitting Metal Halides: Materials, Mechanisms, and Applications”的综述文章。论文第一作者为我院刘莹研究员，通讯作者为我院史志锋教授、华南理工大学夏志国教授和意大利技术研究所Liberato Manna教授。郑州大学物理学院为论文第一单位。近红外发光材料在食品检测、农业生产、生物医学等领域具有广泛的应用价值。目前常见近红外光源主要是III-V族无机半导体的外延异质结构，很难与互补金属氧化物半导体（CMOS）集成，且制备工艺复杂。近年来，金属卤化物材料因其成本低廉、制备工艺简单、溶液可加工、光谱可调范围广、易于进行CMOS集成而在光电器件领域具有很强的应用潜力，是新兴近红外发光材料的理想选择。近两年，近红外发光的钙钛矿发光二极管外量子效率达到20%以上，并显示出超过10000小时的器件稳定性，进一步展现出近红外发光金属卤化物良好的应用前景，激发了科研人员对于近红外金属卤化物的探索。鉴于此，研究人员从近红外发射机理出发，对不同类型的近红外发光金属卤化物进行了归类和整理，包括铅/锡基溴/碘化物钙钛矿、稀土离子掺杂金属卤化物、双钙钛矿、低维杂化金属卤化物和Bi3+/Sb3+/Cr3+掺杂金属卤化物，综述了它们的最新研究进展，深入分析了窄带或宽带近红外发光的机制。同时，梳理了基于近红外发光金属卤化物的器件应用，并详细讨论了不同类型近红外金属卤化物所面临的实际挑战以及克服这些障碍的可能策略。https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/adma.202312482
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