倪自丰教授：纳米氧化铈磨粒的制备及其在碳化硅衬底抛光中的应用（报告）
日期：
2024-08-23
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以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料相较前两代半导体材料，具有宽禁带、高导热率、高击穿电场、高电子饱和漂移速率等物理特性，并且化学性能稳定，有很强的耐腐蚀性，因而在核能、军工、航空航天等领域被广泛应用。但由于碳化硅材料具有硬度高、断裂韧性低的特点，在加工过程中极容易出现裂纹和损伤；同时，碳化硅表面加工的质量和精度的优劣会直接影响外延薄膜的质量及器件的性能，当前产业发展阶段，化学机械抛光技术（CMP）是业界公认实现碳化硅衬底材料全局平坦化最有效的方法，但关于它的材料去除机理、过程变量对碳化硅表面材料去除率和表面质量的影响等许多问题尚未完全研究清楚，使得碳化硅产业化进程受到一定的影响。氧化铈（CeO2）作为一种具有优异抛光性能的磨料，具有切削力强、抛光时间短、使用寿命长、抛光精度高的特点，常应用于光学玻璃器件、电视机显像管、半导体晶片等器件的抛光。氧化铈在抛光过程中化学稳定性较好，不易与抛光液中的其他成分发生不良反应，有利于维持抛光液的稳定性和使用寿命，相较于其他磨料，它对环境的影响较小，符合当下我国绿色化学和可持续发展的要求。并且有理论研究表明，氧化铈可以有效促进碳化硅的表面改性，用于化学机械抛光有极大潜力提升衬底材料的去除率和平坦化效率。但是目前国内外商业化的氧化铈磨料仍以亚微米等级为主，一方面囿于纳米级产品开发难度，另一方面也缺少基于氧化铈基抛光液用于碳化硅晶圆抛光的研究数据。8月25日-26日，于江苏无锡举办的“2024年全国精密研磨抛光材料及加工技术发展论坛”上，来自江南大学机械工程学院的倪自丰教授将在现场分享报告《纳米氧化铈磨粒的制备及其在碳化硅衬底抛光中的应用》，届时他将重点介绍不同形貌纳米氧化铈磨粒的制备技术，分析氧化铈磨粒对碳化硅衬底化学机械抛光性能的影响，并通过磨粒间隙能计算、分子动力学模拟和双电层DLVO理论解析碳化硅材料的去除机理。如您对相关内容感兴趣，欢迎了解会议详情并报名参会哦！
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