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云南大学胡万彪团队在Nature Communications发文揭示二维铁电材料离子占位与迁移机制

日期: 2024-11-26
浏览次数: 108
来源:云南大学


近日,云南大学胡万彪团队(现代工学院/材料与能源学院/电镜中心/云南省电磁材料与器件重点实验室)在Nature Communications发表题为“Atomic-level direct imaging for Cu(I) multiple occupations and migration in 2D ferroelectric CuInP2S6”的研究论文。
二维范德华铁电材料因奇特的物理和量子现象,广泛应用于场效应晶体管(FET)、非易失性存储器、铁电隧道结(FTJ)等领域。二维单斜(Cc)结构的CuInP2S6(CIPS),因其四势阱可调节的室温铁电性,在电子器件领域得到了广泛的研究。CIPS的铁电极化与Cu(I)所在晶格的位置有较强的关联性。如图1a所示,CIPS由InS6八面体笼,Cu(I)子以及P-P对构成一个连续的层,层与层之间通过范德瓦尔斯力以ABAB的堆垛方式构成完整的二维晶体。在TC点以下,Cu(I)自发的占据位置I(位置III),导致晶体的空间反演对称性破缺;从而产生朝下(朝上)的自发极化。由于Cu(I)的可迁移性,在CIPS晶体当中存在着面外(OOP)和面内(IP)两种极化(图1b)。当施加外场(如电场、应力、热等)时,Cu(I)的占位可以切换,使极化方向与场方向对齐(例如,当外加电场向上时,所有Cu(I)离子都切换到III位置,使极化点向上)。目前,该材料仍有一些问题未得到解决,例如:有多少可能的位置可以容纳Cu(I)切换或额外迁移?除了位置I和III外,是否还有其他可能的占据位置?Cu(I)是否有可能迁移到间隙位置或层间位置?此外,Cu(I)以什么样的路径来进行迁移?显然,这些基本的结构和物理图像对于理解CIPS的铁电性质和极化开关机制至关重要。
在本工作中,研究团队通过像差校正扫描透射电子显微镜(AC-STEM)对CIPS单晶进行了原子级直接成像,以精确跟踪沿(100)-CIPS电子束辐照下Cu(I)的动态行为(图1c)。结果表明,Cu(I)在外加电子辐照下具有多重占位,Cu(I)可以迁移到InS6八面体骨架之间的晶格、空位、间隙和层间位置,形成CuxInP2S6(x=2-4)局域结构。Cu(I)多重位置占据诱导的晶格应力导致层与层沿b轴方向滑移,产生1/ 6b晶格常数的晶面滑移。CuxInP2S6(x=2-4)是一种局域动态结构,当电子剂量大于50 e− Å−2时以亚稳态存在,从而产生的动态过程。这些发现揭示了Cu(I)在CIPS中迁移的潜在机制,为控制其铁电性能的基本过程提供了重要依据。
云南大学材料与能源学院2021级博士研究生郭长金为该论文第一作者,现代工学院胡万彪研究员为通讯作者。该研究得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、云南省“兴滇英才支持计划”云岭学者专项、云南省电磁材料与器件重点实验室(筹)、云南大学“双一流”建设专项、云南大学电镜中心的资助和支持。
论文链接:https://doi.org/10.1038/s41467-024-54229-7



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