以氧化镓（Ga2O3）和金刚石（Diamond）为代表的超宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、巴利加优值高、抗辐射能力强等优异性能，可以更好地满足功率电子器件在高功率、高温、高频以及高辐射等极端工况的使用需求，应用前景广阔。p型半导体和n型半导体相结合的双极型器件，具有良好的电流和电压承载能力，是功率电子器件发展的重要方向。然而，超宽禁带半导体面临双极型掺杂难的主要问题，比如氧化镓难以实现p型掺杂，金刚石难以实现低电阻率的n型掺杂。因此，构建具有良好界面和能带匹配的p-Diamond/n-Ga2O3二极管，是实现高性能超宽禁带pn结二极管的理想组合，有利于充分发挥超宽禁带半导体在先进电力电子器件中的应用优势。然而，异质结器件常面临较高界面失配和缺陷密度，会引起掺杂失效与耐压性能下降，是实现千伏级功率器件的瓶颈问题。
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