六方氮化硼（hBN）是重要的超宽禁带半导体材料，具有类石墨烯层状结构和独特的光电特性，在深紫外发光器件和探测器领域具有重要的应用。早在2007年，科研人员就开展了对hBN材料激子发光特性的实验研究与理论分析，相关成果发表在Science期刊上（Science, 2007, 317: 932-934），并通过阴极发光（CL）测试首次证明了hBN材料具有深紫外发光特性。随着研究的发展，科研人员通过光致发光（PL）技术确定了hBN材料具有复杂的缺陷发光特性，且堆叠层错是缺陷发光的最主要诱因（ACS Photonics, 2014, 1(9): 857-862.）。基于hBN材料展现出的优异紫外发光特性，近几年应用剥离单晶hBN与石墨烯材料结合，研制出了深紫外发光器件（Nature Communications, 2021, 12(1): 7134; Advanced Materials, 2022, 34(21): 2201387.）。然而，能制备出PN结型高效率半导体发光器件一直是本领域追求的目标，hBN薄膜的n/p掺杂问题(尤其是n型掺杂)一直是重大的科学和技术难题。
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