来源：X-MOL
在化学机械抛光（CMP）中，磨料是决定抛光性能的主要因素。为了在受控的材料去除率 （MRR） 和最小化的表面缺陷的情况下实现高精度抛光结果，对磨料特性（包括粒径、硬度、形态和化学稳定性）提出了越来越严格的要求。因此，改性磨料的研发对于提高抛光性能至关重要。本文系统总结了近年来磨料改性提高抛光效果的研究进展，重点介绍了 CeO2 和 TiO2 磨料的作用机理和抛光性能。由此得出结论，改性 CeO2 磨料（如核壳结构磨料、稀土元素掺杂磨料和混合磨料）通过改善其原有的理化性能或与其他磨料的性能相结合，表现出优异的抛光效果。此外，在光催化辅助化学机械抛光（PCMP）中，改性 TiO2 磨料通常会产生高度氧化的羟基自由基（·OH），这在第三代半导体 SiC 和 GaN 的加工难度方面表现出优势。展望未来，改性磨料的研究仍将是重中之重。磨蚀性能的持续优化有望带来更高效、更环保的半导体制造工艺。