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钴离子掺杂提高铈光降解反应性的正确方法

日期: 2025-11-17
浏览次数: 556

来源:X-MOL

引入氧空位 (OV) 是解决光催化半导体系统内在局限性的有效策略。在此,钴离子掺杂氧化铈纳米复合材料,即CoCeOx-1 和 CoCeOx-2,采用两种方法构建,系统研究OV的形成、位置和浓度对抗生素光催化降解性能的影响。协理会x-1 通过一步法获得,具有丰富的 OV 和窄的带隙 (BG),而 CoCeOx-2 通过两步工艺形成,与 CeO 相比,OVs 浓度降低,BG 增加2.令人惊讶的是,CoCeOx-2表现出更高的光催化降解效率,3CoCeOx-2 在 320 nm < λ < 780 nm 光下实现了 73.10% 的诺氟沙星 (NFX) 降解和 85.69% 的头孢唑啉 (CFZ),在中性水溶液中表现出优异的循环稳定性。通过对降解产物和光生活性氧(ROS)的分析,揭示了抗生素降解的可能机制和途径,阐明了其优异催化活性的来源。研究强调,较大的比表面积,尤其是较高浓度的光诱导ROS和OVs浅能级的长寿命电荷分离状态是光催化降解效率高的主要原因。



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