来源：X-MOL
尽管基于金属离子的移动丝状忆阻被研究为神经形态计算的人工突触，但它们存在突发和随机切换的问题。因此，本研究报告了一种使用移动掺杂银钒-铈氧化物（VCeOx：Ag）的非丝状突触忆阻器，通过结合 Ag 纳米簇和重新分布的移动 Ag 离子，实现线性和对称的电导调制，并在 10 个 4 次增强/降低周期内保持稳定耐久性。这种共轭贡献使得极性依赖、稳健且可重复的模拟开关成为可能。透射电子显微镜（TEM）分析确认了 Ag 纳米簇的存在，开尔文探针力显微镜（KPFM）验证了残余 Ag 离子的场驱动迁移和重新分布。利用时间依赖的突触可塑性特性，包括配对脉冲促进（PPF）、硬伤直气后增强（PTP）、尖峰依赖可塑性（SRDP）以及短期到长期记忆（STM 到 LTM）的转变，实现了储量计算（RC），该技术在手写数字 MNIST 和 Fashion-MNIST 数据集中分别实现了 90.6%和 76.7%的分类准确率。这些发现凸显了 VCeOx：Ag 的互补机制，实现了前所未有的模拟电导控制，并为开发可扩展、节能的边缘人工智能（AI）和设备内学习神经形态硬件铺平了道路。