来源：X-MOL
在这项工作中，掺杂镧氧化铟（InLaO）薄膜晶体管（TFT）通过不同 La 浓度的原子层沉积（ALD）制成。系统性研究了 La 浓度对结晶度、表面化学信息、表面形态以及 ALD 培养的 InLaO TFT 的电学性质的影响。随着 La 的内容从 0 提升到 20.2。场效应迁移率（μ FE）从 106.3 cm （V·s） −1 持续下降。相比之下，负偏置稳定性（NBS）显著增强，阈值电压（V TH）在−2 伏偏压应力下从−0.157 降至−0.005 伏，持续 1000 秒。这一趋势归因于 La-O 键能比 In_O 更强。稳定的 La−O 键有效抑制氧空位（V O）及其相关缺陷态的产生，这解释了其优越的稳定性。同时，这些键也抑制传导通路的形成，导致观察到的迁移率退化。这项工作表明，La 掺杂是一种有效策略，能够精确调校氧化物 TFT 的稳定性与迁移性平衡。