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宁波材料所在超宽禁带半导体材料与器件研究方面取得进展

日期: 2024-12-25
浏览次数: 95

以氧化镓(Ga2O3)和金刚石(Diamond)为代表的超宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、击穿电场高、巴利加优值高、抗辐射能力强等优异性能,可以更好地满足功率电子器件在高功率、高温、高频以及高辐射等极端工况的使用需求,应用前景广阔。p型半导体和n型半导体相结合的双极型器件,具有良好的电流和电压承载能力,是功率电子器件发展的重要方向。然而,超宽禁带半导体面临双极型掺杂难的主要问题,比如氧化镓难以实现p型掺杂,金刚石难以实现低电阻率的n型掺杂。因此,构建具有良好界面和能带匹配的p-Diamond/n-Ga2O3二极管,是实现高性能超宽禁带pn结二极管的理想组合,有利于充分发挥超宽禁带半导体在先进电力电子器件中的应用优势。然而,异质结器件常面临较高界面失配和缺陷密度,会引起掺杂失效与耐压性能下降,是实现千伏级功率器件的瓶颈问题。



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