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上海光机所在面向2μm波段高损伤阈值蓝宝石衬底氮化镓液晶光阀研究取得新进展

日期: 2025-03-28
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近期,中国科学院上海光学精密机械研究所高功率激光物理联合实验室范薇研究员团队针对基于第三代半导体材料氮化镓(GaN)的液晶光阀在2 μm波段的应用可行性进行了研究。相关成果以“High laser damage threshold GaN-based liquid crystal devices for 2 μm band applications”为题发表在Infrared Physics & Technology上。



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